IRFB4332PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2283553-IRFB4332PBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRFB4332PBF

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Número de producto base	IRFB4332
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	33mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5860 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	390W (Tc)
Otros nombres	2156-IRFB4332PBF SP001556040 IFEINFIRFB4332PBF