SQJA37EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2285400-SQJA37EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJA37EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJA37 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4900 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 45W (Tc) | |
| Otros nombres | SQJA37EP-T1_GE3DKR SQJA37EP-T1_GE3CT SQJA37EP-T1_GE3TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SQJ459EP-T1_GE3Vishay Siliconix
CSTNE20M0V53L000R0Murata Electronics
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.- SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ463EP-T1_GE3Vishay Siliconix
ESP32-WROOM-32D (16MB)Espressif Systems- SQJ457EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQ3456BEV-T1_GE3Vishay Siliconix
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.
SN65HVD231QDRQ1Texas Instruments- SQJ433EP-T1_GE3Vishay Siliconix
