SSM6K781G,LF
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Número de pieza NOVA:
312-2271621-SSM6K781G,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM6K781G,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 12 V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WCSPC (1.5x1.0) | |
| Número de producto base | SSM6K781 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 7A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-UFBGA, WLCSP | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600 pF @ 6 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | SSM6K781G,LF(S SSM6K781GLFDKR SSM6K781GLFCT SSM6K781GLFTR |
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