IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2
Número de pieza NOVA:
312-2278598-IPB60R055CFD7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB60R055CFD7ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número de producto base | IPB60R055 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 38A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 900µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3194 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 178W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPB60R055CFD7ATMA1DKR SP002621130 448-IPB60R055CFD7ATMA1CT 448-IPB60R055CFD7ATMA1TR |
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