EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Número de pieza NOVA:
312-2263127-EPC2012C
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
EPC2012C
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 5A (Ta) - Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die Outline (4-Solder Bar) | |
| Número de producto base | EPC2012 | |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Serie | eGaN® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.3 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | Die | |
| Vgs (Máx.) | +6V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | - | |
| Otros nombres | 917-1084-1 917-1084-2 917-1084-6 |
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