STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Número de pieza NOVA:
312-2273461-STL3NM60N
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STL3NM60N
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Número de producto base | STL3NM60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | MDmesh™ II | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 650mA (Ta), 2.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 188 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta), 22W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-13351-2 497-13351-1 497-13351-6 |
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