IPB65R041CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
Número de pieza NOVA:
312-2299413-IPB65R041CFD7ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPB65R041CFD7ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 24.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 1.24mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4975 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 227W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPB65R041CFD7ATMA1TR SP005413357 448-IPB65R041CFD7ATMA1CT 448-IPB65R041CFD7ATMA1DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STB35N65DM2STMicroelectronics
IPT60R040S7XTMA1Infineon Technologies- IPT60R055CFD7XTMA1Infineon Technologies
- IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies
LT1160IS#PBFAnalog Devices Inc.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
