TPH2R104PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Número de pieza NOVA:
312-2275012-TPH2R104PL,LQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH2R104PL,LQ
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP Advance (5x5) | |
| Número de producto base | TPH2R104 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSIX-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 500µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 78 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6230 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 830mW (Ta), 116W (Tc) | |
| Otros nombres | 264-TPH2R104PLLQDKR 264-TPH2R104PLLQTR TPH2R104PL,LQ(S 264-TPH2R104PLLQCT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
- TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and Storage