IPD70N10S312ATMA1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD70N10
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 83µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4355 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	125W (Tc)
Otros nombres	IPD70N10S312ATMA1DKR IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12CT IPD70N10S3-12DKR-ND IPD70N10S312 IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12CT-ND IPD70N10S312ATMA1TR SP000427248 IPD70N10S3-12DKR IPD70N10S3-12TR IPD70N10S312ATMA1CT

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!