SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2283017-SQM120P10_10M1LGE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQM120P10_10M1LGE3
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número de producto base | SQM120 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
| Otros nombres | SQM120P10_10M1LGE3-ND SQM120P10 10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3TR SQM120P10_10M1LGE3CT SQM120P10_10M1LGE3DKR |
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