FDC642P
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Número de pieza NOVA:
312-2280915-FDC642P
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDC642P
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SuperSOT™-6 | |
| Número de producto base | FDC642 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 925 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | FDC642PCT ONSONSFDC642P FDC642P-ND 2156-FDC642P-OS FDC642PDKR FDC642PTR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
NTGS3443T1Gonsemi
RB055LAM-30TFTRRohm Semiconductor
DMP3125L-7Diodes Incorporated
BSS138PW,115Nexperia USA Inc.
AO3420Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RTL035N03FRATRRohm Semiconductor
MP2615CGQ-PMonolithic Power Systems Inc.
DMP2033UVT-7Diodes Incorporated
