PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2274240-PHT6NQ10T,135
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PHT6NQ10T,135
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 | |
| Número de producto base | PHT6NQ10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 633 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Otros nombres | PHT6NQ10T135 568-6791-2-ND 568-6791-6-ND 934055876135 PHT6NQ10T,135-ND 568-6791-2 PHT6NQ10T /T3 568-6791-1 PHT6NQ10T /T3-ND 1727-5352-6 568-6791-1-ND 568-6791-6 1727-5352-1 1727-5352-2 |
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