NTMJS1D4N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Número de pieza NOVA:
312-2297740-NTMJS1D4N06CLTWG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTMJS1D4N06CLTWG
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-LFPAK | |
| Número de producto base | NTMJS1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 39A (Ta), 262A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 280µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7430 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 4W (Ta), 180W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-NTMJS1D4N06CLTWGDKR 488-NTMJS1D4N06CLTWGCT 488-NTMJS1D4N06CLTWGTR |
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