IPW65R041CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Número de pieza NOVA:
312-2283663-IPW65R041CFDFKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPW65R041CFDFKSA1
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-1 | |
| Número de producto base | IPW65R041 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 68.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 33.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 3.3mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8400 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 500W (Tc) | |
| Otros nombres | IPW65R041CFD IPW65R041CFD-ND SP000756288 |
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