C3M0075120J-TR
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Número de pieza NOVA:
312-2313947-C3M0075120J-TR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
C3M0075120J-TR
Embalaje estándar:
1,600
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263-7 | |
| Número de producto base | C3M0075120 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | C3M™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 5mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +15V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1350 pF @ 1000 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 113.6W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
C3M0075120KWolfspeed, Inc.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.