PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Número de pieza NOVA:
312-2296301-PMPB08R4VPX
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMPB08R4VPX
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN2020MD-6 | |
| Número de producto base | PMPB08 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 12A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 900mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200 pF @ 6 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Otros nombres | 1727-PMPB08R4VPXTR 1727-PMPB08R4VPXDKR 1727-PMPB08R4VPXCT 934661979115 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- DMP1009UFDF-7Diodes Incorporated
- M24C32-FMC6TGSTMicroelectronics
- SSM6J505NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- PMPB14XNXNexperia USA Inc.
- DMN1019UVT-7Diodes Incorporated
- FDMA908PZonsemi
- AON6558Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FDMA905Ponsemi
- MCM1216A-TPMicro Commercial Co









