IPD80R1K4P7ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-2
Número de producto base	IPD80R1
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Función FET	Super Junction
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	250 pF @ 500 V
Disipación de energía (máx.)	32W (Tc)
Otros nombres	INFINFIPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1DKR IPD80R1K4P7ATMA1TR IPD80R1K4P7ATMA1CT SP001422564 2156-IPD80R1K4P7ATMA1

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