IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Número de pieza NOVA:
312-2274934-IRF5802TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF5802TRPBF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Micro6™(TSOP-6) | |
| Número de producto base | IRF5802 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 88 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta) | |
| Otros nombres | IRF5802TRPBFTR IRF5802TRPBF-ND IRF5802TRPBFCT SP001561828 IRF5802TRPBFDKR |
In stock ?Necesitas más?
0,28330 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IRF5801TRPBFInfineon Technologies
FA-20H 12.0000MD30Z-K3EPSON
LTC4359CMS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
IRFH8318TRPBFInfineon Technologies
SI3442BDV-T1-E3Vishay Siliconix
CD4002BM96Texas Instruments
LT1763CS8-5#TRPBFAnalog Devices Inc.- SI3440DV-T1-GE3Vishay Siliconix
