SQJA72EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2287920-SQJA72EP-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJA72EP-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SQJA72 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1390 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 55W (Tc) | |
| Otros nombres | SQJA72EP-T1_GE3DKR SQJA72EP-T1_GE3CT SQJA72EP-T1_GE3TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
LDL212PV33RSTMicroelectronics
SI7738DP-T1-GE3Vishay Siliconix
150282M153310Würth Elektronik
SQJ416EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MMSZ5245B-7-FDiodes Incorporated- SQJA82EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MMBTA06-7-FDiodes Incorporated
