NP50P03YDG-E1-AY
MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Número de pieza NOVA:
312-2270311-NP50P03YDG-E1-AY
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NP50P03YDG-E1-AY
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 1W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount 8-HSON
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-HSON | |
| Número de producto base | NP50P03 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta), 102W (Tc) | |
| Otros nombres | NP50P03YDG-E1-AYDKR -1161-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDGE1AY NP50P03YDG-E1-AY-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYTR 559-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYDKR-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYDKR NP50P03YDG-E1-AYCT-ND NP50P03YDG-E1-AYTR NP50P03YDG-E1-AYTR-ND |
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