LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Número de pieza NOVA:
312-2272490-LND150N3-G-P003
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
LND150N3-G-P003
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 | |
| Número de producto base | LND150 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 740mW (Ta) | |
| Otros nombres | LND150N3-G-P003CT LND150N3-G-P003-ND LND150N3-G-P003TR LND150N3-G-P003DKR-ND LND150N3-G-P003DKRINACTIVE LND150N3-G-P003DKR |
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