TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2279558-TK100S04N1L,LQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK100S04N1L,LQ
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK+ | |
| Número de producto base | TK100S04 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 500µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5490 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) | |
| Otros nombres | TK100S04N1LLQDKR TK100S04N1LLQCT TK100S04N1LLQTR TK100S04N1L,LQ(O |
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