RQ3C150BCTB

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Número de producto base	RQ3C150
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4800 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	20W (Tc)
Otros nombres	RQ3C150BCTBDKR RQ3C150BCTBCT RQ3C150BCTBTR

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