BSC110N06NS3GATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-5
Número de producto base	BSC110
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 23µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2700 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Otros nombres	BSC110N06NS3 GTR BSC110N06NS3 GDKR BSC110N06NS3G BSC110N06NS3GATMA1TR SP000453668 BSC110N06NS3 GCT-ND BSC110N06NS3 G-ND BSC110N06NS3 GCT BSC110N06NS3 GTR-ND BSC110N06NS3 G BSC110N06NS3 GDKR-ND BSC110N06NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC110N06NS3GATMA1DKR BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC110N06NS3GATMA1CT

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