SI8416DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Número de pieza NOVA:
312-2290147-SI8416DB-T2-E1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI8416DB-T2-E1
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 8 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | |
| Número de producto base | SI8416 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 800mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-UFBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±5V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 8 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1470 pF @ 4 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | |
| Otros nombres | SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR |
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