SISS32DN-T1-GE3

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base	SISS32
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	17.4A (Ta), 63A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1930 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Otros nombres	SISS32DN-T1-GE3TR SISS32DN-T1-GE3DKR SISS32DN-T1-GE3CT

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