SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2282824-SIR470DP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIR470DP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SIR470 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5660 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Otros nombres | SIR470DP-T1-GE3CT SIR470DP-T1-GE3DKR SIR470DP-T1-GE3TR SIR470DPT1GE3 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI7884BDP-T1-E3Vishay Siliconix- SI7884BDP-T1-GE3Vishay Siliconix
SIC631CD-T1-GE3Vishay Siliconix
BAT54CLT1Gonsemi
CSD86350Q5DTexas Instruments
IRFH7440TRPBFInfineon Technologies
SD2114S040S8R0Kyocera AVX
