IPD30N06S215ATMA2

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Número de producto base	IPD30N06
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	14.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 80µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1485 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	136W (Tc)
Otros nombres	SP001061724 IPD30N06S215ATMA2DKR 2156-IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2TR IPD30N06S215ATMA2CT IPD30N06S215ATMA2-ND INFINFIPD30N06S215ATMA2

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