MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Número de pieza NOVA:
312-2279869-MMIX1F180N25T
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
MMIX1F180N25T
Embalaje estándar:
20
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 24-SMPD | |
| Número de producto base | MMIX1F180 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 132A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 8mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 364 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 24-PowerSMD, 21 Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 23800 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 570W (Tc) | |
| Otros nombres | -MMIX1F180N25T |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXTT100N25PIXYS