RSQ020N03TR

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Número de producto base	RSQ020
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	134mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	3.1 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	110 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	600mW (Ta)
Otros nombres	RSQ020N03DKR RSQ020N03CT

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