ISC019N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Número de pieza NOVA:
312-2361590-ISC019N03L5SATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
ISC019N03L5SATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-5 | |
| Número de producto base | ISC019 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| Otros nombres | SP005408617 448-ISC019N03L5SATMA1TR 448-ISC019N03L5SATMA1DKR 448-ISC019N03L5SATMA1CT |
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