IRF8010PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2277678-IRF8010PBF

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IRF8010PBF

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Número de producto base	IRF8010
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	HEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3830 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	260W (Tc)
Otros nombres	2156-IRF8010PBFINF *IRF8010PBF SP001575444 INFIRFIRF8010PBF

In stock Por favor contáctenos

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!