IRL2910PBF
MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2289010-IRL2910PBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRL2910PBF
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
| Número de producto base | IRL2910 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 55A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 140 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 200W (Tc) | |
| Otros nombres | *IRL2910PBF SP001576496 |
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