SQJ474EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2300131-SQJ474EP-T2_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQJ474EP-T2_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Número de producto base | SQJ474 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 26A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 45W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SQJ474EP-T2_GE3TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SQJ474EP-T1_GE3Vishay Siliconix