IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2295350-IPD80R2K7C3AATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD80R2K7C3AATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak | |
| Número de producto base | IPD80R2 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.9V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 290 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 42W (Tc) | |
| Otros nombres | INFINFIPD80R2K7C3AATMA1 2156-IPD80R2K7C3AATMA1 SP001065818 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR IPD80R2K7C3AATMA1-ND 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT |
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