STB40NF10LT4
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2288550-STB40NF10LT4
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STB40NF10LT4
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | STB40 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | STripFET™ II | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 64 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2300 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-3736-1 497-3736-2 497-3736-6 497-3736-1-NDR 497-3736-2-NDR |
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