SI7613DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Número de pieza NOVA:
312-2287709-SI7613DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7613DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número de producto base | SI7613 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2620 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) | |
| Otros nombres | SI7613DN-T1-GE3TR SI7613DNT1GE3 SI7613DN-T1-GE3DKR SI7613DN-T1-GE3CT |
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