PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Número de pieza NOVA:
312-2284521-PMV52ENEAR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMV52ENEAR
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB | |
| Número de producto base | PMV52 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 100 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 630mW (Ta), 5.7W (Tc) | |
| Otros nombres | 1727-8666-2 1727-8666-1 934661153215 1727-8666-6 |
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