SI4434ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Número de pieza NOVA:
312-2264270-SI4434ADY-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI4434ADY-T1-GE3
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Número de producto base SI4434
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)250 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 600 pF @ 125 V
Disipación de energía (máx.) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Otros nombresSI4434ADY-T1-GE3DKR
SI4434ADY-T1-GE3CT
SI4434ADY-GE3
SI4434ADY-T1-GE3TR

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