DN2625K4-G
MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Número de pieza NOVA:
312-2272571-DN2625K4-G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DN2625K4-G
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 1.1A (Tj) - Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) | |
| Número de producto base | DN2625 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.1A (Tj) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 0V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | - | |
| Otros nombres | DN2625K4-G-ND DN2625K4-GTR DN2625K4-GDKR DN2625K4-GCT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
DN2625DK6-GMicrochip Technology
DN1509K1-GMicrochip Technology
DN2535N5-GMicrochip Technology
