IPT026N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Número de pieza NOVA:
312-2298776-IPT026N10N5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPT026N10N5ATMA1
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HSOF-8-1 | |
| Número de producto base | IPT026 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™5 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 202A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 150A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 158µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8800 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 214W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT |
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