TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Número de pieza NOVA:
312-2283324-TK31V60X,LQ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK31V60X,LQ
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Número de producto base | TK31V60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 9.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 1.5mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Función FET | Super Junction | |
| Paquete / Caja | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3000 pF @ 300 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 240W (Tc) | |
| Otros nombres | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQDKR TK31V60XLQCT TK31V60XLQTR |
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