NVTFS9D6P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Número de pieza NOVA:
312-2287805-NVTFS9D6P04M8LTAG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVTFS9D6P04M8LTAG
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 40 V 13A (Ta), 64A (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número de producto base | NVTFS9 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 64A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 580µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 34.6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2312 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta), 75W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-NVTFS9D6P04M8LTAGDKR 488-NVTFS9D6P04M8LTAGTR 488-NVTFS9D6P04M8LTAGCT |
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