APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2278424-APT8M100B
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
APT8M100B
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] | |
| Número de producto base | APT8M100 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 290W (Tc) | |
| Otros nombres | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STW28NM50NSTMicroelectronics
IXTH5N100AIXYS
IRFPG50PBFVishay Siliconix
STU2NK100ZSTMicroelectronics
TSM2N100CH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
