IRF610

3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Número de pieza NOVA:
312-2294074-IRF610
Número de parte del fabricante:
IRF610
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteHarris Corporation
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Número de producto base IRF610
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 140 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 36W (Tc)
Otros nombresHARHARIRF610
2156-IRF610

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