TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2340492-TP65H070LSG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TP65H070LSG
Embalaje estándar:
60
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 3-PQFN (8x8) | |
| Número de producto base | TP65H070 | |
| Tecnología | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Serie | TP65H070L | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.8V @ 700µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-PowerDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 96W (Tc) |
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