CSD19502Q5BT
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2288862-CSD19502Q5BT
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD19502Q5BT
Embalaje estándar:
250
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| Número de producto base | CSD19502 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4870 pF @ 40 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) | |
| Otros nombres | 296-44043-2 296-44043-1 296-44043-6 |
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