AON6482
MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN
Número de pieza NOVA:
312-2291171-AON6482
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
AON6482
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-DFN (5x6) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta), 28A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.7V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerSMD, Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) | |
| Otros nombres | 785-1229-6 785-1229-2 785-1229-1 |
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