NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Número de pieza NOVA:
312-2298243-NTMTSC1D6N10MCTXG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TDFNW (8.3x8.4) | |
| Número de producto base | NTMTSC1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 650µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7630 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) | |
| Otros nombres | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR |
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