NP100P04PLG-E1-AY

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263
Número de producto base	NP100P04
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	320 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	15100 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Otros nombres	NP100P04PLG-E1-AYTR NP100P04PLG-E1-AYTR-ND NP100P04PLG-E1-AYCT NP100P04PLG-E1-AYDKR NP100P04PLGE1AY NP100P04PLG-E1-AYCT-ND 559-NP100P04PLG-E1-AYDKR -1161-NP100P04PLG-E1-AYCT NP100P04PLG-E1-AY-ND 559-NP100P04PLG-E1-AYCT 559-NP100P04PLG-E1-AYTR NP100P04PLG-E1-AYDKR-ND

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